طیف تراگسیل بلور فوتونی یک بعدی با لایه نقص داکت گاوسی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - پژوهشکده علوم
- نویسنده رامین توفیق موالو
- استاد راهنما کاظم جمشیدی قله عبدالرحمن نامدار
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1391
چکیده
بلور فوتونی محیطی است که تابع توزیع ضریب شکست در آن متناوب و یا شبه متناوب می باشد. بلورهای فوتونی در دهه ی اخیر به خاطر کاربردها و ویژگی های الکترومغناطیسی منحصر به فردشان به یک حوزه ی تحقیقاتی مهمی تبدیل شده اند. با انتخاب آرایش های مختلف از محیط های با خواص نوری معین، ابزارها و ادوات فوتونی طراحی می شوند. ویژگی بارز بلورهای فوتونی وجود گاف باند فوتونی در طیف تراگسیل می باشد. بطوریکه امواج الکترومغناطیس با ناحیه ی فرکانسی در محدودی گاف باند نمی توانند انتشار یابند. هرگاه تناوب ساختار بلور فوتونی به هر نحوی از بین برود در گاف باند ناحیه یا نواحی مجاز برای انتشار امواج الکترومغناطیسی ایجاد می شود که به مدهای نفص معروف است. یکی از راه های ایجاد نقص در ساختار بلور فوتونی معرفی یک یا چند لایه با ویزگی های اپتیکی متفاوت از لایه های ساختار می باشد.در این پایان نامه، از یک داکت گاوسی به عنوان لایه ی نقص در ساختار بلور فوتونی متناوب استفاده شده است.این پایان نامه در قالب زیر تهیه شده است: در فصل اول و دوم به معرفی و بیان مبانی و روشهای تحلیل بلورهای فوتونی پرداخته ایم. فصل سوم را به توصیف محیط داکت گاوسی و بررسی طیف تراگسیل از این محیط و مقایسه آن با رفتار یک عدسی اختصاص دادیم.در فصل چهار ابتدا خواص طیف تراگسیلی از یک بلور فوتونی بدون لایه ی نقص را بررسی کرده ایم. سپس با وارد کردن یک لایه ی داکت گاوسی به عنوان لایه ی نقص در ساختار بلور فوتونی معرفی شده به بررسی ویژگی های طیف تراگسیلی و مدهای نقص ایجاد شده بر حسب پارامترهای مختلف از جمله: ضخامت لایه نقص، ضریب شکست پایه، مختصه عرضی محیط و... را مورد تجزیه و تحلیل قرار داده ایم. کلمات کلیدی: بلور فوتونی، مد نقص، داکت گاوسی، طیف تراگسیل
منابع مشابه
تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن
امروزه نانوساختارهای گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان دادهاند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایههای دیالکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غ...
متن کاملخواص گاف باند و مدهای نقص بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه نقص پلاسمای مغناطیده
در علم فیزیک و فن آوری، مباحثی چون کاربرد مواد فوتونی و بلورهای نوری که امروزه در عرصه علمی و تکنولوژی از اهمیت بسزایی برخوردار است، از به روزترین مسائل می باشد. در این میان، بررسی ویژگی های بلورهای فوتونی یکی از مباحث مهم جامعه ی علمی است. بیشترین اهمیت بلورهای فوتونی به خاطر وجود باندهای ممنوعه و مدهای نقص آنها است که توانایی کنترل نور را آسانتر می کند.
اثر هارتمن در نانو بلور فوتونی یک بعدی با در نظر گرفتن لایه نقص
در این پایان نامه، اثر هارتمن در ساختار نانو بلور فوتونی یک بعدی مورد مطالعه قرار می گیرد . با استفاده از روش ماتریس انتقال و روش فاز ایستا، زمان فازی مربوط به پالس عبوری از درون نانو بلور فوتونی یک بعدی بررسی شده و نشان داده می شود اگر مواد تشکیل دهنده ی نانو کریستال فوتونی یک بعدی دارای ضریب شکست مثبت باشد اثر هارتمن مثبت می شود که به سرعت فرانوری می انجا مد. همچنین با قرار دادن لایه نقص در ا...
رفتار دینامیکی و پایای طیف جذب و پاشندگی در بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایه ی نقص آلائیده به اتم
کنترل انتشار نور در ساختارهای دی الکتریک لایه ای همواره مورد توجه محققین بوده است. این امر ناشی از قابلیت های فراوان این سیستم ها در کاربردهای گوناگون و وسیع در حیطه نورشناسی می باشد. مزیت اصلی سیستم لایه دی الکتریک نسبت به محیط اتمی قابلیت کاربرد آن در مطالعه انتشار نور در باند گاف بلور فوتونی است. تا به حال روش های گوناگونی برای کنترل رفتار انتشاری نور در داخل این سیستم ها ارائه شده است. برای...
تأثیر اتلاف روی مدهای نقص در بلور فوتونی یک بعدی
در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...
تأثیر جهتگیری محور اپتیکی بر رفتار گاف باند ناهمسانگرد فوتونی
در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسانگرد یک بعدی با بهرهگیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسانگرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسانگرد ایجاد میشود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسانگرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسانگرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار م...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - پژوهشکده علوم
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023